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招聘

崗位

專任副研究員1名（所屬任務(wù)：3-5nm）

崗位

職責(zé)

1. FinFET及GAA器件的設(shè)計(jì)及工藝整合。

2. SiGe材料外延工藝開發(fā)。

3. 面向先進(jìn)工藝的DTCO技術(shù)研究。

招聘條件

1. 擁護(hù)黨和國家的各項(xiàng)方針政策，遵守法律法規(guī)，品行端正；身體健康，心理素質(zhì)良好；愛崗敬業(yè)，恪守學(xué)術(shù)規(guī)范和職業(yè)道德。

2. 具有微電子、物理、材料相關(guān)專業(yè)/學(xué)科博士學(xué)位。

3. 年齡一般在40周歲以下。

4. 須具有副高級專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格或海外人員達(dá)到相應(yīng)水平，或任務(wù)特需的，具有中級專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格（獲聘后按中級專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格認(rèn)定）

5. 精通半導(dǎo)體器件物理以及集成電路工藝，具有豐富的半導(dǎo)體器件和工藝開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD，器件/工藝仿真等。

6. 具有重大項(xiàng)目研究經(jīng)歷者優(yōu)先。

招聘

范圍

校內(nèi)、外

崗位

待遇

1.與學(xué)校簽訂勞動(dòng)合同，可申請學(xué)校相關(guān)住房。

2.提供有市場競爭力的薪資待遇和優(yōu)越的科研環(huán)境。

3.符合相關(guān)條件的，可按照學(xué)校規(guī)定申請子女入托入學(xué)。

應(yīng)聘

程序

1.應(yīng)聘者發(fā)送個(gè)人簡歷（包括學(xué)習(xí)研究經(jīng)歷、發(fā)表論文列表、既往研究成果、未來研究計(jì)劃等）至qyx@fudan.edu.cn, 抄送到xu_min@fudan.edu.cn。

2.擇優(yōu)安排面試。

3.擬聘用者報(bào)學(xué)校審批。

聯(lián)系

方式

郵箱：xu_min@fudan.edu.cn

截止

日期

2023年12月31日

備注

訂立聘用合同或者勞動(dòng)合同以前有下列情形的，不予錄用：

（1）受過刑事處罰、行政拘留處罰，或者因涉嫌違法正在接受有關(guān)部門調(diào)查，尚未作出結(jié)論的；

（2）受到黨（團(tuán)）紀(jì)、政紀(jì)處分，處分尚未解除，或者因涉嫌違紀(jì)正在接受有關(guān)單位調(diào)查，尚未作出結(jié)論的；

（3）違反高等學(xué)校教師職業(yè)行為規(guī)范的；

（4）在應(yīng)聘過程中違背誠實(shí)信用或者社會(huì)公序良俗的；

（5）其他不符合聘用條件的情形。